{"id":3108,"date":"2025-03-27T09:53:11","date_gmt":"2025-03-27T08:53:11","guid":{"rendered":"https:\/\/web.infn.it\/TechTransfer\/?post_type=portfolio_page&p=3108"},"modified":"2025-03-27T09:53:59","modified_gmt":"2025-03-27T08:53:59","slug":"procedimento-di-drogaggio-per-semiconduttori","status":"publish","type":"portfolio_page","link":"https:\/\/web.infn.it\/TechTransfer\/portfolio_page\/procedimento-di-drogaggio-per-semiconduttori\/","title":{"rendered":"Procedimento di drogaggio per semiconduttori"},"content":{"rendered":"

[vc_row css_animation=”” row_type=”row” use_row_as_full_screen_section=”no” type=”full_width” angled_section=”no” text_align=”left” background_image_as_pattern=”without_pattern”][vc_column][vc_raw_html]JTVCd3BzZW9fYnJlYWRjcnVtYiU1RA==[\/vc_raw_html][vc_empty_space][vc_column_text]<\/p>\n

Procedimento di drogaggio per semiconduttori<\/h1>\n

[\/vc_column_text][vc_empty_space][\/vc_column][\/vc_row][vc_row css_animation=”” row_type=”row” use_row_as_full_screen_section=”no” type=”full_width” angled_section=”no” text_align=”left” background_image_as_pattern=”without_pattern”][vc_column width=”2\/3″][vc_empty_space][vc_column_text]La procedura brevettata \u00e8 in grado di produrre giunzioni ad alto drogaggio nei semiconduttori tramite un innovativo procedimento, alternativo all\u2019impiantazione ionica.<\/p>\n

\u00c8 un processo economico, adatto ad applicazioni di micro\/nanoelettronica e di rilevamento di alta precisione.[\/vc_column_text][vc_empty_space][vc_single_image image=”3109″ img_size=”full” qode_css_animation=””][vc_empty_space][vc_column_text]<\/p>\n

Come funziona?<\/span><\/h3>\n

[\/vc_column_text][vc_empty_space][vc_column_text]Le attuali tecniche di drogaggio dei semi conduttori presentano varie problematiche che ne hanno limitato l\u2019uso ad esempio in applicazioni di nanoelettronica. L\u2019impiantazione ionica e successivo trattamento termico (annealing<\/em>) non sempre si presta ai processi di produzione, oltre ad avere un impatto notevole sui costi.<\/p>\n

Questo innovativo procedimento \u00e8 invece in grado di creare una superficie ad alto drogaggio grazie all\u2019applicazione del\u00a0laser melting<\/em> alla sequenza di depositi (film protettivo e sorgente). Durante il raffreddamento che segue l\u2019impulso laser, si ha la ricrescita cristallina del germanio fuso e il passaggio a fase cristallina coerente del film protettivo depositato. Questa trasformazione permette di controllare lo spessore dello strato e la concentrazione dell\u2019elemento drogante nel contatto, proteggendolo al contempo dall\u2019atmosfera e limitandone la diffusione verso l\u2019esterno, attraverso un processo pi\u00f9 economico. \u00c8 stato sviluppato un prototipo di un diodo al germanio iperpuro (HPGe) per applicare questo processo su aree pi\u00f9 grandi.[\/vc_column_text][vc_empty_space][vc_column_text]<\/p>\n

Applicazioni<\/span><\/h3>\n

[\/vc_column_text][vc_column_text]<\/p>\n