{"id":3165,"date":"2025-04-10T11:47:15","date_gmt":"2025-04-10T09:47:15","guid":{"rendered":"https:\/\/web.infn.it\/TechTransfer\/?post_type=portfolio_page&p=3165"},"modified":"2025-04-10T11:47:15","modified_gmt":"2025-04-10T09:47:15","slug":"rivelatore-a-deriva-di-semiconduttore-con-area-effettiva-ottimizzata","status":"publish","type":"portfolio_page","link":"https:\/\/web.infn.it\/TechTransfer\/portfolio_page\/rivelatore-a-deriva-di-semiconduttore-con-area-effettiva-ottimizzata\/","title":{"rendered":"RIVELATORE A DERIVA DI SEMICONDUTTORE CON AREA EFFETTIVA OTTIMIZZATA"},"content":{"rendered":"

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RIVELATORE A DERIVA DI SEMICONDUTTORE CON AREA EFFETTIVA OTTIMIZZATA<\/h1>\n

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Come funziona?<\/span><\/h3>\n

[\/vc_column_text][vc_empty_space][vc_column_text]Il crescente progresso tecnologico e le necessit\u00e0 applicative negli ambiti scientifico ed industriale stanno favorendo l\u2019incremento dell\u2019utilizzo di camere a deriva di silicio di ottima qualit\u00e0 ed elettronica integrata di front-end a bassissimo rumore. Inoltre si sta manifestando una chiara tendenza alla realizzazione di sistemi di misura multicanale per far fronte alle esigenze sempre pi\u00f9 spinte di maggiore sensibilit\u00e0 (quindi un aumento dell\u2019area attiva complessiva del sensore) e di alto flusso (suddivisione dell\u2019area attiva in celle di dimensione ridotta).<\/p>\n

L\u2019invenzione intende massimizzare l\u2019area effettiva delle SDD spettroscopiche, di qualunque forma geometrica, e di rendere le celle periferiche di matrici monolitiche equivalenti a quelle interne. L\u2019invenzione potrebbe essere sfruttata in una molteplicit\u00e0 di processi produttivi, in quanto prescinde non solo dalla tecnologia di silicio impiegata per la realizzazione delle SDD, ma anche dal materiale semiconduttore alla base del prodotto.[\/vc_column_text][vc_empty_space][vc_column_text]<\/p>\n

Applicazioni<\/span><\/h3>\n

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