{"id":1109,"date":"2021-11-19T10:36:48","date_gmt":"2021-11-19T09:36:48","guid":{"rendered":"https:\/\/web.infn.it\/labec\/?page_id=1109"},"modified":"2022-02-16T10:37:36","modified_gmt":"2022-02-16T09:37:36","slug":"materiali","status":"publish","type":"page","link":"https:\/\/web.infn.it\/labec\/home\/materiali\/","title":{"rendered":"Materiali"},"content":{"rendered":"\t\t
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Materiali avanzati e innovativi rappresentano la chiave per le future applicazioni in sensoristica e in tecnologie quantistiche, come la memorizzazione di informazioni e la comunicazione quantistiche.<\/h3>
Materiali con tali caratteristiche si possono ottenere per impiantazione di ioni, cio\u00e8 particelle cariche, in una matrice, con lo scopo di realizzare quelli che si chiamano emettitori di singolo fotone, anche detti centri di colore<\/strong>, capaci di assorbire ed emettere radiazione di una determinata lunghezza d’onda.\u00a0<\/div>
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Negli ultimi anni, l’interesse del LABEC si \u00e8 concentrato in particolare su impiantazioni di ioni di silicio<\/strong> (Si) in diamante<\/strong> (monocristalli intrinseci e drogati, membrane policristalline e nanocristalli). I “difetti” cos\u00ec ottenuti costituiscono i precursori per la formazione dei centri Silicio-Vacanza (SiV), da attivare successivamente per riscaldamento ad alta temperatura (fino a 1200\u00b0C) in alto vuoto o in atmosfera controllata.\u00a0L’apparato sperimentale installato al LABEC permette di realizzare impiantazioni con diverse risoluzioni spaziali, cio\u00e8 con diverse densit\u00e0 di centri, utilizzando anche diverse fluenze (numero totale di ioni per unit\u00e0 di superficie irraggiata), fino anche ad ottenere la trasformazione del diamante in materiale amorfo (grafitizzazione del diamante).\u00a0<\/span><\/p>

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Per approfondire:<\/strong>
– profondit\u00e0 del campione in cui avviene l’impiantazione: 0 – 2.4 mm;
– fluenza:\u00a010<\/span>7<\/span>-10<\/span>15<\/span>\u00a0ioni su cm<\/span>2<\/span>;
– corrente del fascio di ioni incidenti: 10 nA\/mm2;
– resa di attivazione dei centri Si-V: 1-6%;
–\u00a0ottenuti emettitori di fotoni singoli con una durata nello stato eccitato molto breve (~1 ns), una forte riga di emissione zero-fonone con una larghezza di riga molto stretta a temperatura ambiente (~1.6 nm) e una dispersione in lunghezza d\u2019onda molto piccola (0.015 nm).<\/span><\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/section>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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