La tecnologia si colloca nel settore dei sensori a diodo, con particolare riferimento ai sensori di radiazioni. In modo più specifico, trova applicazione nei sensori di radiazioni basati su diodi dotati di strutture di moltiplicazione della carica, alimentati per operare in regime di moltiplicazione lineare.
L’invenzione riguarda un metodo per realizzare sensori di radiazioni a diodi più resistenti agli effetti dannosi delle radiazioni stesse. Il metodo prevede la creazione di strati semiconduttori drogati mediante una tecnica di compensazione, inserendo due tipi di droganti con carica opposta nella stessa zona del substrato. Questa compensazione aumenta la densità del drogante, riducendo il degrado del sensore e mantenendo stabile il guadagno del diodo. Il procedimento introduce solo una minima modifica ai metodi di fabbricazione tradizionali, mantenendo i costi contenuti e la semplicità produttiva.
INFN e FBK
IT 102022000003359
Rivelatori
P_21.069
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