La tecnologia riguarda il settore dei sensori a diodi, con particolare riferimento ai sensori di radiazioni. In particolare, trova applicazione soprattutto nei sensori di radiazioni a diodi che includono uno o più diodi dotati di una struttura di moltiplicazione della carica, progettati per operare in regime di moltiplicazione lineare.

Il metodo riguarda la costruzione di un sensore a diodi per rilevare radiazioni. Si parte da un materiale semiconduttore, chiamato substrato, che ha due superfici: una frontale e una posteriore. Vicino alla superficie frontale si crea un primo strato con un certo tipo di impurità controllata (drogaggio), mentre più in profondità si forma un secondo strato con un tipo di impurità opposta rispetto al primo. Prima di realizzare questi due strati, nel substrato viene inserito un terzo strato arricchito con carbonio in una quantità precisa. Questo passaggio migliora le caratteristiche del sensore, rendendolo più resistente e affidabile nella rilevazione delle radiazioni.
INFN e FBK
IT 102022000003356
Rivelatori
P_21.070
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