Rivelatore a deriva di semiconduttore (SDD) per spettroscopia X e γ (con accoppiamento ad un cristallo scintillatore) avente area effettiva ottimizzata. Rispetto alle soluzioni esistenti, l’introduzione di una regione di simmetrizzazione del campo elettrico consente il recupero dell’inefficienza al bordo dei rivelatori, di qualunque geometria e dimensione, ottenendo valori di efficienza prossimi al 100%, anziché i tipici valori di circa il 70%, e mantenendo la compatibilità con l’alimentazione del rivelatore dal solo lato anodico.
Il crescente progresso tecnologico e le necessità applicative negli ambiti scientifico ed industriale stanno favorendo l’incremento dell’utilizzo di camere a deriva di silicio di ottima qualità ed elettronica integrata di front-end a bassissimo rumore. Inoltre si sta manifestando una chiara tendenza alla realizzazione di sistemi di misura multicanale per far fronte alle esigenze sempre più spinte di maggiore sensibilità (quindi un aumento dell’area attiva complessiva del sensore) e di alto flusso (suddivisione dell’area attiva in celle di dimensione ridotta).
L’invenzione intende massimizzare l’area effettiva delle SDD spettroscopiche, di qualunque forma geometrica, e di rendere le celle periferiche di matrici monolitiche equivalenti a quelle interne. L’invenzione potrebbe essere sfruttata in una molteplicità di processi produttivi, in quanto prescinde non solo dalla tecnologia di silicio impiegata per la realizzazione delle SDD, ma anche dal materiale semiconduttore alla base del prodotto.
INFN
IT 102018000009266
Rivelatori
P_17.020
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