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Istituto Nazionale di Fisica Nucleare

Trasferimento Tecnologico

RIVELATORE 3D IN SILICIO AMORFO IDROGENATO

Basso danno da radiazione | Dosimetria | Raggi X | Rivelatore di particelle | Silicio

INTRODUZIONE

L'invenzione consiste in un dispositivo rivelatore di radiazione a geometria 3D, realizzato a partire da un substrato in silicio amorfo idrogenato. Una tale geometria consente la riduzione del rumore a parità di spessore ed allo stesso tempo l’aumento della raccolta di carica, rendendolo idoneo alla rivelazione di particelle o di fotone X singolo. Caratteristica peculiare di questo rivelatore è l’elevata resistenza al danno da radiazione.

  silicio amorfo idrogenato 2

CARATTERISTICHE TECNICHE

L’adozione, per il rivelatore in Silicio amorfo idrogenato, di una geometria 3D, anziché la classica configurazione planare, consente il miglioramento delle prestazioni del dispositivo in termini di rivelazione del segnale. Per fornire un rivelatore performante occorre aumentarne la raccolta del segnale e/o diminuirne il rumore. La geometria 3D adottata e la presenza di elettrodi di raccolta spaziati ad opportuna distanza nel substrato di silicio amorfo idrogenato consentono la raccolta, in maniera più efficiente, del segnale di carica che si sviluppa lungo lo spessore del substrato stesso. Tutto ciò rende questo dispositivo utilizzabile come rivelatore sia di particelle che di singolo fotone. Altro vantaggio fondamentale del rivelatore è l’elevata  resistenza alle radiazioni, che lo rende applicabile sia per scopi di ricerca,  nel contesto degli acceleratori adronici futuri, sia in campo medicale e industriale, per l'imaging a raggi X e monitor di fasci di particelle.


POSSIBILI APPLICAZIONI
  • Monitoraggio di fasci di particelle da acceleratori, sia per fini di ricerca che industriali e medico;
  • Imaging a raggi X per la medicina;
  • Imaging a raggi X per analisi strutturali;
  • Dosimetria;
  • Calorimetria per fisica delle alte energie.
VANTAGGI
  • Elevata resistenza alle radiazioni;
  • Basso costo di produzione;
  • Possibilità di depositare il substrato di silicio amorfo idrogenatosu supporti flessibili;

INFORMAZIONI BREVETTO


PROPRIETARI DEL BREVETTO
Istituto Nazionale di Fisica Nucleare

STATO DEL BREVETTO
Depositato

NUMERO DI PRIORITÀ

102018000010735


DATA DI PRIORITÀ
30/11/2018

LICENZA
Mondo

DIRITTI COMMERCIALI
Esclusivi

DISPONIBILITÀ
Disponibile


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