RIVELATORE CON AREA EFFETTIVA OTTIMIZZATA

Multicanale | Rivelatori | Semiconduttori | Silicio | Spettroscopia

INTRODUZIONE

Rivelatore a deriva di semiconduttore (SDD) per spettroscopia X e γ (con accoppiamento ad un cristallo scintillatore) avente area effettiva ottimizzata. Rispetto alle soluzioni esistenti, l’introduzione di una regione di simmetrizzazione del campo elettrico consente il recupero dell’inefficienza al bordo dei rivelatori, di qualunque geometria e dimensione, mantenendo la compatibilità con l’alimentazione del rivelatore dal solo lato anodico.

Zampa2

CARATTERISTICHE TECNICHE

Il crescente progresso tecnologico e le necessità applicative negli ambiti scientifico ed industriale stanno favorendo l’incremento dell’utilizzo di camere a deriva di silicio di ottima qualità ed elettronica integrata di front-end a bassissimo rumore. Inoltre si sta manifestando una chiara tendenza alla realizzazione di sistemi di misura multicanale per far fronte alle esigenze sempre più spinte di maggiore sensibilità (quindi un aumento dell’area attiva complessiva del sensore) e di alto flusso (suddivisione dell’area attiva in celle di dimensione ridotta). In questo contesto, l’invenzione intende massimizzare l’area effettiva delle SDD spettroscopiche, di qualunque forma geometrica, e di rendere le celle periferiche di matrici monolitiche equivalenti a quelle interne. L’invenzione potrebbe essere sfruttata in una molteplicità di processi produttivi, in quanto prescinde non solo dalla tecnologia di silicio impiegata per la realizzazione delle SDD, ma anche dal materiale semiconduttore alla base del prodotto.

POSSIBILI APPLICAZIONI

Analisi di materiali per applicazioni industriali e biomedicali e nel campo dei beni culturali;
Analisi di contaminazioni dei cibi o contaminazioni ambientali;
Prospezioni minerarie;
Sicurezza aeroportuale.

VANTAGGI

Area di rivelazione effettiva massimizzata;
Realizzazione di matrici monolitiche ottimizzate di qualunque dimensione e forma;
Collimazione meno spinta per eliminare effetti di bordo;
Compatibilità con alimentazione dal solo lato anodico.

INFORMAZIONI BREVETTO

PROPRIETARI DEL BREVETTO

Istituto Nazionale di Fisica Nucleare

STATO DEL BREVETTO

Depositato

NUMERO DI PRIORITÀ

102018000009266

DATA DI PRIORITÀ

09/10/2018

LICENZA

Mondo

DIRITTI COMMERCIALI

Esclusivi

DISPONIBILITÀ

Disponibile

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